הושגה דיוק מיקום של 40 ננומטר עבור פולטי פוטון יחיד של מרכזי B ב-hBN באמצעות הקרנת אלקטרונים. התפשטות קרן אלקטרונים (27 ננומטר) וצפיפות חומר קדם UV הם הגורמים המגבילים העיקריים. זוהו נתיבים להשגת דיוק של פחות מ-10 ננומטר לפוטוניקה קוונטית משולבת.

#פוטוניקהקוונטית #פולטיפוטוןיחיד #hBN

전자 조사를 통해 hBN의 B 센터 단일광자 방출기에 대해 40 nm 위치 정확도를 달성했습니다. 전자빔 확산(27 nm)과 UV 전구체 밀도가 주요 제한 요인입니다. 집적 양자 광자학을 위한 10 nm 이하의 정확도 달성을 위한 경로가 확인되었습니다.

#양자광자학 #단일광자방출기 #hBN

電子照射によるhBN内のB中心単一光子放出器の40 nmの位置決め精度を達成した。電子ビーム拡がり(27 nm)とUV前駆体密度が主な制限要因である。集積量子フォトニクスのための10 nm以下の精度に到達するための経路が特定された。

#量子フォトニクス #単一光子放出器 #hBN

通過電子照射實現了hBN中硼中心單光子發射器40納米的定位精度。電子束擴散（27納米）和紫外前驅體密度是主要的限制因素。已確定達到集成量子光子學次10納米精度的路徑。

#量子光子學 #單光子發射器 #hBN

通过电子辐照实现了hBN中B中心单光子发射体40 nm的定位精度。电子束扩展(27 nm)和紫外前驱体密度是主要限制因素。已识别出达到集成量子光子学亚10 nm精度的途径。

#量子光子学 #单光子发射体 #hBN