電子照射によるhBN内のB中心単一光子放出器の40 nmの位置決め精度を達成した。電子ビーム拡がり(27 nm)とUV前駆体密度が主な制限要因である。集積量子フォトニクスのための10 nm以下の精度に到達するための経路が特定された。

#量子フォトニクス #単一光子放出器 #hBN