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通过电子辐照实现了hBN中B中心单光子发射体40 nm的定位精度。电子束扩展(27 nm)和紫外前驱体密度是主要限制因素。已识别出达到集成量子光子学亚10 nm精度的途径。

研究人员通过质子照射和退火在氮化铝(AlN)中实现了单光子发射体的可控形成，在富氮生长条件下效率大幅提升——达到8×10⁷ cm⁻²的发射体密度。

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Version devBuilt at: 2026-10-15 15:54:28 EDT

通过电子辐照实现了hBN中B中心单光子发射体40 nm的定位精度。电子束扩展(27 nm)和紫外前驱体密度是主要限制因素。已识别出达到集成量子光子学亚10 nm精度的途径。

研究人员通过质子照射和退火在氮化铝(AlN)中实现了单光子发射体的可控形成，在富氮生长条件下效率大幅提升——达到8×10⁷ cm⁻²的发射体密度。