SQC展示了原子精度制造工艺的演进，实现了99.99%的单量子比特保真度和30秒的相干时间，采用自动化STM氢刻蚀技术，磷原子放置精度达0.13纳米。

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磷-硅量子平台实现99.99%单量子比特保真度和30+秒相干时间，采用自动化扫描隧道显微镜刻蚀技术。已部署11量子比特系统；通过三维集成和工业级制造向通用容错迈进。

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SQC 展示了大规模原子级精密制造，每天确定性地放置数十万个单原子。这一工业化过程将 25 年以上的硅量子研究转变为现已投入商业生产的容错量子处理器。

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研究人员提出了在硅中对磷核自旋进行快速电学控制的方案，实现了39 MHz的操纵速率，比传统核磁共振快1000倍。这种全电学方案可实现高保真量子门，同时维持较长的相干时间，推进可扩展的量子应用。

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SQC展示了原子精度制造的进展：单原子→自动化量子比特→商业处理器。磷原子在硅中的放置，每天执行数十万次，标志着朝向利用半导体的容错量子系统的道路...

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Diraq在新墨西哥州阿尔伯克基的Roadrunner Quantum Lab建立研发实验室，推进其硅量子计算技术朝着实用规模应用发展，并扩大其美国业务。

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亚琛工业大学研究人员开发了用于预测硅量子比特中谷分裂的分析框架，精度达到前所未有的1%，揭示了高振幅下的渐近自由现象，为更稳定的量子比特设计提供支持。

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利用磷给体的硅自旋量子比特现已实现规模化寻址：集成片上钴微磁体产生磁场梯度，通过单个天线实现120多个原子量子比特的独立控制，推进了容错量子处理器的可扩展性。

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Diraq在阿尔伯克基开设新的研发实验室，以推进硅基量子计算，作为DARPA量子基准计划的一部分，目标是到2029年在单个芯片上实现150,000个物理量子比特。

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Diraq在阿尔伯克基建立了一个专用的硅自旋量子比特测量实验室，获得新墨西哥州资金和DARPA量子突破倡议的支持。计划到2029年使用CMOS兼容的半导体架构实现150,000个物理量子比特。

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Quobly获得CEA-Leti的FAMES试点生产线的直接访问权限，以推进300mm FD-SOI CMOS平台上的硅自旋量子比特制造工艺，并将量子比特阵列与低温控制电子设备相结合，以实现可扩展的量子处理器单元，目标是在2026年底前通过云平台提供服务。

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Quobly 和 qBraid 利用 Alloy Forge 通过现实噪声建模实现基于云的硅自旋量子比特应用测试，在 Pioneer QPU 商用发布前架起了软件仿真到硬件部署之间的桥梁。

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Diraq和Dell建立了混合量子-经典测试平台，在悉尼共置硅量子处理单元和高性能计算服务器，支持实时量子比特校准和量子纠错编排，实现超低延迟。

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Quobly在工业级300mm FD-SOI硅上验证了单芯片量子操作(读出、单比特和双比特门)，展示了大规模硅自旋量子比特系统的可行技术转移。

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Diraq 和 Equinix 正在悉尼的共享數據中心部署世界上首個硅自旋量子計算機。該 8 量子比特系統消耗功率小於 20kW，與現有基礎設施集成，推進了實用的量子-經典混合計算。

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Diraq 和 Equinix 正在悉尼的一个共享数据中心部署全球首台硅自旋量子计算机。该 8 量子比特系统功耗低于 20kW，与现有基础设施集成，推进了实用量子-经典混合计算的发展。

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Diraq在Equinix悉尼部署硅自旋量子计算机，功率<20kW且配备集成冷却系统，展示了与经典计算基础设施的实际整合，适用于实用规模部署。

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硅自旋量子比特通过电子穿梭实现增强的连接性——这是一种物理移动电子的技术，用以减少电路深度，推进NISQ和容错量子计算的发展。

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首次演示了绝缘体上硅中供体束缚激子跃迁的光电读出，将这种混合光学-电学检测方案从块体硅扩展到支撑硅光子集成的SOI平台。

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硅自旋量子比特在优化的微磁体退相干甜点处运行，实现了约67微秒的相干时间，比相邻位置长10倍以上。噪声谱学显示电荷噪声转换已降低到接近基本²⁹Si核自旋噪声极限的水平。

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