在最佳化微磁石退相干最佳點運作的矽自旋量子位元達成約67微秒的相干時間—比相鄰位置長超過10倍。噪聲譜學顯示電荷噪聲轉導降低到接近基本²⁹Si核自旋噪聲限制的水準。

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硅自旋量子比特在优化的微磁体退相干甜点处运行，实现了约67微秒的相干时间，比相邻位置长10倍以上。噪声谱学显示电荷噪声转换已降低到接近基本²⁹Si核自旋噪声极限的水平。

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