Các nhà nghiên cứu đã đạt được mức nhiễu điện tích thấp nhất (0,46 µeV/√Hz) trong các giếng lượng tử Ge trên silicon thông qua việc kỹ sư hóa thành phần rào cản SiGe, cho phép các bộ xử lý qubit spin có độ trung thực cao và khả năng mở rộng.
@informaq-vi.bsky.social