Các bộ dịch pha MOS lai InGaAsP/Si đạt tiêu thụ công suất tĩnh ở mức femtowatt và thời gian chuyển đổi 555 ps, vượt qua những sự đánh đổi đã hạn chế việc mở rộng quy mô mạch quang có thể lập trình cho các ứng dụng lượng tử và cổ điển.

Các bộ dịch pha MOS lai InGaAsP/Si đạt tiêu thụ công suất tĩnh ở mức femtowatt và thời gian chuyển đổi 555 ps, vượt qua những sự đánh đổi đã hạn chế việc mở rộng quy mô mạch quang có thể lập trình cho các ứng dụng lượng tử và cổ điển.