Các nhà nghiên cứu chứng minh sự hình thành được kiểm soát của các bộ phát photon đơn trong AlN thông qua chiếu xạ proton và ủ, với hiệu suất tăng đáng kể dưới điều kiện tăng trưởng giàu N—đạt được mật độ bộ phát 8×10⁷ cm⁻².

Các nhà nghiên cứu chứng minh sự hình thành được kiểm soát của các bộ phát photon đơn trong AlN thông qua chiếu xạ proton và ủ, với hiệu suất tăng đáng kể dưới điều kiện tăng trưởng giàu N—đạt được mật độ bộ phát 8×10⁷ cm⁻².