Les chercheurs ont réalisé le plus faible bruit de charge (0.46 µeV/√Hz) dans les puits quantiques Ge sur silicium grâce à une composition de barrière SiGe ingéniée, permettant des processeurs de qubits de spin scalables à haute fidélité.

Les chercheurs ont réalisé le plus faible bruit de charge (0.46 µeV/√Hz) dans les puits quantiques Ge sur silicium grâce à une composition de barrière SiGe ingéniée, permettant des processeurs de qubits de spin scalables à haute fidélité.