Infineon và ZuriQ đạt được thành tích mảng ion mắc kẹt 3×3, thể hiện công nghệ Penning micro-trap 2D. Loại bỏ sưởi RF cho phép sản xuất bán dẫn tiêu chuẩn cho các bộ xử lý lượng tử có thể mở rộng, chịu lỗi, nhắm vào khoa học vật liệu và logistics.

Infineon và ZuriQ đạt được thành tích mảng ion mắc kẹt 3×3, thể hiện công nghệ Penning micro-trap 2D. Loại bỏ sưởi RF cho phép sản xuất bán dẫn tiêu chuẩn cho các bộ xử lý lượng tử có thể mở rộng, chịu lỗi, nhắm vào khoa học vật liệu và logistics.