別個のSn及びS前駆体を用いた大面積SnS結晶(350µm)の制御CVD合成を実証した。最適化された成長条件により、光学および素子研究に適した明確なフォノン特性および基質依存性の形態が得られる。

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研究者らが既存のCMOSプロセスで製造可能な2D材料を用いて25マイクロ秒のトランズモンコヒーレンスを達成し、新たな製造インフラを必要としない固体量子プロセッサへのスケーラブルなパスを実証した。

#2D材料 #量子ハードウェア #ニュース

本論文では、転送可能なCMOSプロセスを通じて2D材料が低損失量子部品を実現する方法を評価し、材料の再現性、製造上の課題、および標準化されたメトロロジーが、クローズドループプロセスフィードバックを必要とする重要な課題であることを特定している。

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