InGaAsP/Si 하이브리드 MOS 위상 시프터는 펨토와트 수준의 정적 전력 소비와 555 ps 스위칭 시간을 달성하여, 양자 및 고전 응용 분야에서 프로그래머블 포토닉 회로 확장을 제한했던 트레이드오프를 극복합니다.

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