연구원들은 양성자 조사 및 열처리를 통해 AlN에서 단일 광자 방출자의 제어된 형성을 입증했으며, N-풍부한 성장 조건에서 효율이 급격히 향상되어 8×10⁷ cm⁻² 발광체 밀도를 달성했다.

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