電圧バイアスされた量子ドットは臨界性の近傍で有効温度の記述を維持しますが、強いバイアスで非熱的状態選択を明らかにします。そこでは有効温度が秩序パラメータ全体で変化し、本質的に非平衡な振る舞いを示しています。

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電壓偏置的量子點在臨界點附近保持有效溫度描述，但在強偏置下揭示非熱態選擇，其中有效溫度在序參數間變化——演示了真正的非平衡行為。

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無限ランダムネス臨界状態における測定誘起もつれの解析理論。MIEは普遍指数(3-√5)/2で減衰し、臨界特性は著しく堅牢である。クリーン系と鋭く対比する。

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無限無序臨界態中測量誘發量子糾纏的解析理論。測量誘發糾纏以通用指數(3-√5)/2衰減；臨界特性表現出顯著的穩健性——與乾淨系統形成鮮明對比。

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耗散通道類型—而不僅僅是強度—控制著光物質系統中的非平衡臨界性。純位相阻尼抑制超輻射，而自發發射穩定了腔QED和囚禁離子平台中的長壽命亞穩態。

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