研究人員展示了在低溫下對超薄鐵膜中磁域的電場控制，達到了與最先進系統相競爭的電壓控制係數。這種CMOS相容的材料堆疊能夠實現與超導體的可擴展集成...

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研究人員利用精確計時的電脈衝，在反鐵磁鏈中實現了幾乎純淨的自旋電流生成——這是一項突破性進展，可實現更高效的自旋電子元件。

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研究人員展示反鐵磁鏈可以在沒有外加偏置或磁場的情況下，使用時變勢產生可調的純自旋電流，實現低功耗自旋電子裝置，同時具有最小的電荷傳輸和焦耳熱。

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研究人員開發統一理論，解釋交替磁體如何通過晶格不對稱性和軌道有序性產生獨特的磁子與軌道子激發——這對自旋電子學器件工程至關重要。

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理論揭示非共線磁體通過新興超自旋呈現共線自旋分裂能帶——一個與物理自旋不同的守恆量。這解釋了異常磁行為，並使具有定向自旋流產生能力的新型自旋電子器件成為可能。

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