研究人员在低温条件下演示了对超薄铁膜中磁性域的电场控制，取得了与最先进系统相竞争的电压控制系数。这种CMOS兼容的材料堆叠结构能够与超导...实现可扩展集成

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研究人员在反铁磁链中利用精确定时的电脉冲实现了几乎纯自旋流的产生——这一突破性成就可以实现更高效的自旋电子器件。

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研究人员证明了反铁磁链可以在无需外部偏压或磁场的情况下，利用时间相关势产生可调谐的纯自旋电流，从而实现低功耗自旋电子器件，具有最小的电荷转移和焦耳热。

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研究人员开发了统一理论，解释交替磁体如何通过晶格不对称性和轨道有序产生不同的放大子和轨道激子激发——这对自旋电子设备工程至关重要。

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理论揭示非共线磁体通过涌现的超自旋展现出共线自旋分裂带——一种不同于物理自旋的守恒量。这解释了异常磁性行为，并使新型自旋电子器件能够实现定向自旋电流的产生。

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