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反向设计的纳米梁腔在电信波长处为硅自旋-光子界面实现了高协同度(C~280-5000)。对称设计最大化Purcell增强;非对称腔体将~90%的发射定向进入片上波导,用于可扩展的量子网络。

异质Si-on-SiC光子平台从钒色心实现高效单光子采集，具有Purcell增强。在电信O波段实现95%电荷态恢复和光纤耦合量子网络运行。

英国资助计划支持新兴研究人员通过跨学科合作开发量子就绪型硅光子平台，解决量子技术扩展的关键基础设施缺口。

该研究确定了驱动硅自旋量子位中交换诱导动力学的三个不同区制，并证明可以通过调节拉比频率差异和交换耦合强度来优化并行门操作。

研究人员展示了一款完全集成的量子频率处理器，在4×7毫米硅芯片上结合了双光子源、光谱控制和高维纠缠，具有>99.9%保真度门—推进了可扩展的光子量子处理器的发展。

异质Si-on-SiC光子平台从钒色心实现高效单光子采集，具有Purcell增强。在电信O波段实现95%电荷态恢复和光纤耦合量子网络运行。

英国资助计划支持新兴研究人员通过跨学科合作开发量子就绪型硅光子平台，解决量子技术扩展的关键基础设施缺口。

该研究确定了驱动硅自旋量子位中交换诱导动力学的三个不同区制，并证明可以通过调节拉比频率差异和交换耦合强度来优化并行门操作。