遷移金属ニオブを用いた新しい極性窒化物半導体「NbAlN」の開発に成功 #東京都 #千代田区 #半導体 #東京理科大学 #ニオブ

東京理科大学の研究チームが遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功。GaN基板上での単結晶成長も実現し、電子デバイスへの応用が期待される。