Đã chứng minh sử dụng DNP dựa trên cavity sử dụng hiệu ứng Purcell với các spin Bi:Si được liên kết với bộ cộng hưởng siêu dẫn, đạt được cải thiện dân số 4,6× — tiến gần đến giới hạn lý thuyết 9× cho các ứng dụng bộ nhớ lượng tử ở nhiệt độ millikelvin.
