새로운 변위식각 기술은 GaAsSb 양자점 밀도를 3자리수 범위에 걸쳐 정밀하게 제어하고, 1550nm의 통신 C-밴드 방출을 달성하여 양자 통신 및 집적 광자 시스템의 전망을 향상시킵니다.

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