초전도 공진기에 결합된 Bi:Si 스핀을 이용한 펄셀 효과 기반의 캐비티 DNP를 구현했으며, 4.6배의 집단 증강을 달성하여 밀리켈빈 온도에서 양자 메모리 응용을 위한 이론적 한계인 9배에 근접했습니다.

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