研究者らは電子ドープ銅酸化物における電子散乱強度と臨界温度の間の直接的な相関関係を確立し、低エネルギースピン揺らぎを主要なペアリング機構として特定しました。これはホールドープシステムとは根本的に異なる経路です。

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