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單層MoS₂鼓通過耗散稀釋在4 K溫度下實現372,000的品質因數——比先前二維材料紀錄高近十倍——確立了原子級薄材料作為量子轉換和感測應用的終極平台。

單層MoS₂鼓通過耗散稀釋在4 K溫度下實現372,000的品質因數——比先前二維材料紀錄高近十倍——確立了原子級薄材料作為量子轉換和感測應用的終極平台。

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Version devBuilt at: 2026-10-20 22:18:50 EDT

單層MoS₂鼓通過耗散稀釋在4 K溫度下實現372,000的品質因數——比先前二維材料紀錄高近十倍——確立了原子級薄材料作為量子轉換和感測應用的終極平台。

單層MoS₂鼓通過耗散稀釋在4 K溫度下實現372,000的品質因數——比先前二維材料紀錄高近十倍——確立了原子級薄材料作為量子轉換和感測應用的終極平台。