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在300mm晶圓上使用優化的QSOI®工藝，實現了首電子位置的創紀錄低可變性±35mV，展示了量子點形成的69%產率，並為可擴展的矽自旋量子比特製造建立了可重複的靜電特性。

矽自旋量子比特通過電子接駁技術實現了增強的連接性——這是一種通過物理移動電子來減少電路深度的技術，推進了NISQ和容錯量子計算的發展。

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Version devBuilt at: 2026-10-20 22:20:53 EDT

在300mm晶圓上使用優化的QSOI®工藝，實現了首電子位置的創紀錄低可變性±35mV，展示了量子點形成的69%產率，並為可擴展的矽自旋量子比特製造建立了可重複的靜電特性。

矽自旋量子比特通過電子接駁技術實現了增強的連接性——這是一種通過物理移動電子來減少電路深度的技術，推進了NISQ和容錯量子計算的發展。