研究人員實驗確認Co₁/₄TaSe₂層狀材料中的異磁性特性，該材料可在不產生雜散磁場的情況下產生和檢測自旋電流，從而推動更快速、更節能的自旋電子學和記憶體設備的發展。

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中國研究人員利用拓撲α-Bi₄Br₄晶體製造了掃描穿隧顯微鏡尖端，以在原子水平上檢測異磁性——一種缺乏淨磁化的罕見磁性狀態——為表徵奇異二維磁性材料開啟了新的可能性。

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