@informaq-zh.bsky.socialOct 20, 2026, 2:04 AM 新型位移刻蚀技术能够精确控制GaAsSb量子点密度，覆盖三个数量级，实现电信C频段1550 nm发射——为量子通信和集成光子系统应用前景带来进展。#量子光子学 #量子点 #电信arxiv.org用于电信波长发射的位移刻蚀GaAsSb量子点
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