研究者たちは極低温でウルトラシン鉄膜の磁気ドメインの電界制御を実証し、最先端システムと同等の電圧制御係数を達成した。このCMOS互換材料スタックは超伝導体との統合に対応できるスケーラブルな構造である...

研究者たちは極低温でウルトラシン鉄膜の磁気ドメインの電界制御を実証し、最先端システムと同等の電圧制御係数を達成した。このCMOS互換材料スタックは超伝導体との統合に対応できるスケーラブルな構造である...
新規キュービット・イン・ザ・ループベンチマーキング方法論により、インジウム含有率60% HEMT LNAが最適87.2%の割り当て忠実度を達成し、定格動作比で20倍の電力削減を実現—数千個のキュービットへのマルチキュービットプロセッサスケーリングに不可欠である。