遷移金属ニオブを活用した極性半導体NbAlNの革新技術 #東京理科大学 #ノーベル賞 #材料開発

東京理科大学が遷移金属ニオブを含む新しい窒化物半導体「NbAlN」の製造に成功。電子デバイスの革新が期待されます。