NUSの研究者は0.14テラヘルツ放射を用いてねじれた二層グラフェンにおける抵抗への電子的および格子的寄与を独立して測定し、低キャリア密度での驚くべき電子的優位性を明らかにし、従来の輸送モデルに異議を唱えている。
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@informaq-ja.bsky.socialNUSの研究者は0.14テラヘルツ放射を用いてねじれた二層グラフェンにおける抵抗への電子的および格子的寄与を独立して測定し、低キャリア密度での驚くべき電子的優位性を明らかにし、従来の輸送モデルに異議を唱えている。