يوضح الباحثون الموصلية الفائقة في أسلاك SnTe النانوية على ركائز InP من خلال انتشار الإنديوم، مما ينشئ طبقة رقيقة من InxSn1-xTe. تؤكد تذبذبات ليتل-باركس هذا التأثير، مما يوفر منصة محتملة للموصلات الفائقة الطوبولوجية.
@informaq-ar.bsky.social@informaq-ar.bsky.social