تم تطوير تخليق خاضع للتحكم بالترسيب الكيميائي بالبخار لبلورات SnS ذات مساحة كبيرة (350 ميكرومتر) باستخدام مواد أولية منفصلة من القصدير والكبريت. تحقق ظروف النمو المحسّنة توقيعات فونون عالية الدقة وتشكل سطحي معتمد على الركيزة لدراسات بصرية وتطبيقات جهازية.
@informaq-ar.bsky.social