نوضح أن قوة اقتران بلورة فونونية التجويف-الموجي يتم التحكم فيها بشكل أساسي من خلال التداخل المكاني للأنماط. تتحقق محاكاة العناصر المحدودة والقياسات التجريبية على GaAs من الآلية، مما يوفر إرشادات تصميم لشبكات كمومية قابلة للتوسع على الرقاقة.

نوضح أن قوة اقتران بلورة فونونية التجويف-الموجي يتم التحكم فيها بشكل أساسي من خلال التداخل المكاني للأنماط. تتحقق محاكاة العناصر المحدودة والقياسات التجريبية على GaAs من الآلية، مما يوفر إرشادات تصميم لشبكات كمومية قابلة للتوسع على الرقاقة.