تكشف دراسة من المبادئ الأولى أن إدراج الزنك في SnTe يحفز انتقالًا طوبولوجيًا قابلًا للتحكم فيه، مع تعزيز معامل سيبك الكهروحراري بشكل كبير ليصل إلى 250μV/K، مما يوفر مسارًا نحو مواد كهروحرارية عالية الأداء وخالية من الرصاص.

تكشف دراسة من المبادئ الأولى أن إدراج الزنك في SnTe يحفز انتقالًا طوبولوجيًا قابلًا للتحكم فيه، مع تعزيز معامل سيبك الكهروحراري بشكل كبير ليصل إلى 250μV/K، مما يوفر مسارًا نحو مواد كهروحرارية عالية الأداء وخالية من الرصاص.