تمكّن منصة Si-on-SiC الفوتونية غير المتجانسة من جمع الفوتونات الفردية بكفاءة من مراكز الفاناديوم الملونة مع تحسين بورسيل. وتحقق استعادة حالة الشحن بنسبة 95% وتشغيل شبكة كمومية مقترنة بالألياف في نطاق اتصالات O الخاص بالاتصالات.

تمكّن منصة Si-on-SiC الفوتونية غير المتجانسة من جمع الفوتونات الفردية بكفاءة من مراكز الفاناديوم الملونة مع تحسين بورسيل. وتحقق استعادة حالة الشحن بنسبة 95% وتشغيل شبكة كمومية مقترنة بالألياف في نطاق اتصالات O الخاص بالاتصالات.
تقوي أوبن لايت قيادتها مع قدامى المحاربين في مجال أشباه الموصلات من GlobalFoundries و STMicroelectronics، مدعومة بتمويل Series A1 بقيمة 50 مليون دولار لتسريع اعتماد الفوتونيات السيليكونية في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والاتصالات.
مبادرة تمويل بريطانية تدعم الباحثين الناشئين في تطوير منصات فوتونيات سيليكونية جاهزة للتطبيقات الكمية من خلال التعاون متعدد التخصصات، مما يسد الفجوات الحرجة في البنية التحتية لتوسيع تقنيات الكم.
تحدد الدراسة ثلاث أنظمة مختلفة من الديناميكا المحفزة بالاقتران التبادلي في كيوبتات سيليكون الدوران المدفوعة، وتوضح أن عمليات البوابة المتوازية يمكن تحسينها من خلال ضبط اختلافات تردد رابي وقوى الاقتران التبادلي.
يوضح الباحثون معالج تردد كم متكامل بالكامل يجمع بين مصادر ثنائية الفوتون والتحكم الطيفي والتشابك عالي الأبعاد على رقاقة سيليكون بحجم 4×7 ملم ببوابات إخلاص تتجاوز 99.9%—مما يعزز معالجات فوتونية كمية قابلة للتوسع.