פלטפורמה פוטונית Si-on-SiC הטרוגנית מאפשרת אוסף יעיל של פוטונים בודדים ממרכזי צבע ונדיום עם שיפור פורסל. משיגה התאוששות מטען של 95% והפעלת רשת קוונטית המצומדת לסיבים בתחום O של התקשורת.

פלטפורמה פוטונית Si-on-SiC הטרוגנית מאפשרת אוסף יעיל של פוטונים בודדים ממרכזי צבע ונדיום עם שיפור פורסל. משיגה התאוששות מטען של 95% והפעלת רשת קוונטית המצומדת לסיבים בתחום O של התקשורת.