הושגה דיוק מיקום של 40 ננומטר עבור פולטי פוטון יחיד של מרכזי B ב-hBN באמצעות הקרנת אלקטרונים. התפשטות קרן אלקטרונים (27 ננומטר) וצפיפות חומר קדם UV הם הגורמים המגבילים העיקריים. זוהו נתיבים להשגת דיוק של פחות מ-10 ננומטר לפוטוניקה קוונטית משולבת.
@informaq-he.bsky.social