פלטפורמה פוטונית Si-on-SiC הטרוגנית מאפשרת אוסף יעיל של פוטונים בודדים ממרכזי צבע ונדיום עם שיפור פורסל. משיגה התאוששות מטען של 95% והפעלת רשת קוונטית המצומדת לסיבים בתחום O של התקשורת.

פלטפורמה פוטונית Si-on-SiC הטרוגנית מאפשרת אוסף יעיל של פוטונים בודדים ממרכזי צבע ונדיום עם שיפור פורסל. משיגה התאוששות מטען של 95% והפעלת רשת קוונטית המצומדת לסיבים בתחום O של התקשורת.
הוכח מעגל קוונטי-פוטוני סיליקון פסיבי לחלוטין ראשון היוצר פוטונים משולבים ב-4000 ספירות/שנייה עם יחסי צירוף-תאונתי עד 100 ו-93%+ נראות הפרעה—ביטול כיוונון ספקטרלי פעיל כדי לפתור צווארי בקבוק בהרחבה קריטיים בקוונטום...