מעבירי פאזה היברידיים InGaAsP/Si MOS משיגים צריכת כוח סטטית ברמת פמטוואט וזמני מיתוג של 555 פיקושנייה, תוך ההתגברות על תחלופות שהגבילו את הגדלת מעגלים פוטוניים תכניתיים ליישומים קוונטיים וקלאסיים.
@informaq-he.bsky.social@informaq-he.bsky.social
@informaq-he.bsky.socialמעבירי פאזה היברידיים InGaAsP/Si MOS משיגים צריכת כוח סטטית ברמת פמטוואט וזמני מיתוג של 555 פיקושנייה, תוך ההתגברות על תחלופות שהגבילו את הגדלת מעגלים פוטוניים תכניתיים ליישומים קוונטיים וקלאסיים.